长鑫存储发布4F²存储单元架构，全球存储芯片股应声下跌
长鑫存储宣布在4F²新存储单元架构上取得进展，美光盘前跌3.7%，SK海力士与三星电子在韩股分别下挫10%和7.4%。
中国存储芯片企业长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）上周末宣布，其在开发一种可在更小空间内存储更多数据的新型存储单元架构方面取得重大进展。据 digitaltoday.co.kr 报道，该设计基于“4F²”技术，通过缩小存储单元面积来提升存储密度。
消息公布后，全球存储芯片股普遍走弱。美光（Micron）在美股盘前交易中下跌3.7%；韩国市场上，SK海力士（SK hynix）下跌10%，三星电子（Samsung Electronics）下跌7.4%。SanDisk、Seagate和西部数据（Western Digital）也出现下跌。
长鑫存储表示，计划在2026年底前推出基于该新单元架构的服务器内存产品。
市场背景
SK海力士曾在2025年公布4F²技术的发展路线图。长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽省合肥市。
据汇丰银行10月9日发布的报告，长鑫存储的全球DRAM市场份额已从此前约4%升至约10%。据《金融时报》7月援引消息人士报道，苹果（Apple）正在为其在中国销售的产品测试长鑫存储的DRAM，并请求美国政府允许更广泛地使用长鑫存储产品。花旗分析师在8月评估认为，美国政府不太可能允许中国制造的内存在美国销售，但长鑫存储产品进入欧洲等数据中心市场，可能间接影响美光等现有厂商。
长鑫存储于7月在上海证券交易所科创板上市，首日股价较发行价上涨约466%。此后股价较49元人民币的发行价下跌约4%，市值为3.46万亿元人民币。
快速问答
长鑫存储的4F²技术何时商用？
长鑫存储计划在2026年底前推出基于该新存储单元架构的服务器内存产品。
消息公布后存储芯片股表现如何？
美光美股盘前跌3.7%，SK海力士跌10%，三星电子跌7.4%，SanDisk、Seagate和西部数据也走弱。
长鑫存储目前的DRAM市场份额是多少？
据汇丰银行10月9日的报告，其全球DRAM市场份额已升至约10%，此前约为4%。