TCK碳化硅聚焦环专利更正请求获韩国专利审判院受理
韩国专利审判院于7日受理TCK的碳化硅聚焦环专利更正请求,更正后的专利涉及化学气相沉积形成的SiC结构。
据ZDNet Korea报道,韩国专利审判院于7日受理了TCK提出的碳化硅(SiC)聚焦环专利更正请求。此次更正涉及一项通过化学气相沉积形成的SiC结构专利,注册号为2117888。
更正后的专利缩小了权利要求范围。TCK方面尚未就此次更正后的专利范围调整作出进一步说明。
该专利此前曾多次卷入法律纠纷。2023年11月,专利审判院裁定该'888专利无效;2024年10月,专利法院撤销该裁定并将案件发回专利审判院重审;2025年7月,专利审判院裁定该'888专利有效。
围绕该专利的争议可追溯至更早。2019年,TCK在首尔中央地方法院对DSTechno提起专利侵权诉讼;2020年,TCK又在首尔中央地方法院对YMC和Yacom提起专利侵权诉讼。
2024年11月,首尔中央地方法院裁定YMC和Yacom侵犯了TCK的两项专利。2025年7月,TCK与YMC和Yacom通过双方协议解决了纠纷。2025年8月,DSTechno向专利法院提起诉讼,对有效性裁定提出上诉。
快速问答
TCK的碳化硅聚焦环专利注册号是多少?
注册号为2117888,涉及通过化学气相沉积形成的SiC结构。
韩国专利审判院何时受理了TCK的专利更正请求?
韩国专利审判院于7日受理了TCK的更正请求,更正后缩小了专利权利要求范围。