Samsung dévoile sa stratégie mémoire IA à trois axes à l'OCP Summit
Samsung Electronics a présenté au OCP Global Summit 2026 une stratégie mémoire IA axée vitesse, évolutivité et persistance, avec AMD et Nvidia.
Samsung Electronics a dévoilé une stratégie mémoire pour l'IA articulée autour de trois axes — vitesse, évolutivité et persistance — lors de l'OCP Global Summit 2026, qui s'est tenu le 12 décembre à San José, en Californie, selon inews24.com.
Le constructeur coréen a indiqué travailler sur la HBM5 et sur des versions personnalisées de la HBM afin d'accroître la vitesse de traitement des données. Il a également présenté un modèle de HBM5, des wafers de semi-conducteurs de nouvelle génération, ainsi que les technologies zHBM et PIM.
Samsung et AMD ont conjointement validé une technologie d'extension de mémoire basée sur CXL et fait la démonstration d'un pool de mémoire. Samsung a montré son module mémoire CXL CMM-D, qui alloue dynamiquement la capacité de mémoire selon l'usage.
Selon les tests présentés par Samsung, cette allocation dynamique réduit de jusqu'à 38 % le délai de première réponse et augmente de jusqu'à 3,3 fois le débit effectif, par rapport à une allocation fixe.
Sur le volet fonderie, Samsung a exposé les wafers destinés au processeur d'inférence IA Groq 3 LPU de Nvidia ainsi qu'au système Groq 3 LPX, aux côtés d'un wafer en procédé 2 nm.
Coopération avec AMD et Nvidia
Le 7 décembre, la PDG d'AMD Lisa Su s'était rendue au siège de Samsung à Seocho et s'était entretenue plus de trois heures avec le vice-président Jun Young-hyun au sujet d'un élargissement de la coopération dans les semi-conducteurs. En mars, Samsung et AMD avaient signé un protocole d'accord portant notamment sur la HBM4 destinée à l'accélérateur IA MI455X d'AMD et sur la DDR5 pour les processeurs serveur. Nvidia avait de son côté lancé en août la production de masse du Groq 3 LPX, une baie intégrant 256 puces Groq 3 LPU, que Samsung fabrique en procédé 4 nm.
En bref
Qu'a présenté Samsung à l'OCP Global Summit 2026 ?
Samsung Electronics a dévoilé une stratégie mémoire IA en trois axes — vitesse, évolutivité et persistance — et présenté un modèle de HBM5, le module mémoire CXL CMM-D, ainsi que des wafers destinés à Nvidia et un wafer en procédé 2 nm.
Quels résultats Samsung a-t-il obtenus avec l'allocation dynamique de mémoire ?
Selon les tests présentés, l'allocation dynamique de mémoire réduit de jusqu'à 38 % le délai de première réponse et augmente de jusqu'à 3,3 fois le débit effectif par rapport à une allocation fixe.
Quand Samsung et AMD ont-ils validé leur technologie CXL ?
La validation conjointe de la technologie d'extension de mémoire basée sur CXL et la démonstration du pool de mémoire ont été présentées lors de l'OCP Global Summit 2026, le 12 décembre.