삼성전자, OCP 서밋서 AI 메모리 3대 전략 공개
삼성전자가 AMD와 CXL 메모리 풀링을 공동 검증하고 엔비디아 Groq 3 웨이퍼를 전시했다.
삼성전자가 12월 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세에서 열린 OCP Global Summit 2026에서 속도·확장성·지속성을 축으로 하는 AI 메모리 3대 전략을 공개했다. 이는 inews24.com이 보도한 내용이다.
삼성전자는 데이터 처리 속도를 높이기 위해 HBM5와 커스텀 HBM을 개발 중이라고 밝혔다. 또 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 기술을 공동 검증하고 메모리 풀링을 시연했다. 사용량에 따라 메모리 용량을 동적으로 할당하는 CMM-D CXL 메모리 모듈도 전시했다.
삼성전자 테스트 결과 동적 메모리 할당은 고정 할당 대비 최초 응답 시간을 최대 38% 줄이고 실효 처리량을 최대 3.3배 높였다. HBM5 모델과 차세대 반도체 웨이퍼, zHBM, PIM 기술도 함께 선보였다.
삼성 파운드리의 엔비디아 Groq 3 LPU AI 추론 칩과 Groq 3 LPX 시스템용 웨이퍼, 삼성 2nm 공정 웨이퍼도 전시됐다.
배경
삼성전자와 AMD는 지난 3월 차세대 AI 메모리 및 컴퓨팅 기술 협력을 위한 MOU를 체결했으며, AMD의 MI455X AI 가속기용 HBM4와 서버 CPU용 DDR5가 포함됐다. 12월 7일에는 리사 수 AMD CEO가 삼성 서초사옥을 방문해 전영현 부회장과 3시간 넘게 반도체 협력 확대를 논의했다. 엔비디아는 지난 8월 Groq 3 LPU 256개를 탑재한 Groq 3 LPX의 양산을 시작했고, 삼성전자는 Groq 3 LPU를 4nm 공정으로 생산한다.
한눈에 보기
삼성전자가 OCP Global Summit 2026에서 공개한 AI 메모리 전략은 무엇인가요?
속도·확장성·지속성을 축으로 하는 3대 전략입니다. HBM5와 커스텀 HBM 개발, AMD와의 CXL 메모리 풀링 검증, CMM-D CXL 메모리 모듈 전시 등이 포함됐습니다.
삼성전자와 AMD가 검증한 CXL 기술의 성과는 무엇인가요?
동적 메모리 할당을 통해 최초 응답 시간을 최대 38% 줄이고 실효 처리량을 최대 3.3배 높였습니다.
삼성전자가 전시한 엔비디아 관련 제품은 무엇인가요?
엔비디아 Groq 3 LPU AI 추론 칩과 Groq 3 LPX 시스템용 파운드리 웨이퍼, 삼성 2nm 공정 웨이퍼 등입니다.