타워 세미컨덕터, 일본 정부와 40억 달러 규모 공동 투자

타워 세미컨덕터(Tower Semiconductor)가 일본 정부와 함께 일본 내 사업에 약 40억 달러를 공동 투자할 계획이라고 tomshardware.com이 보도했다. 타워 세미컨덕터는 자체 자금 30억 달러를 투입하고, 일본 경제산업성(METI)이 10억 달러를 지원하는 구조다.

이번 투자는 두 개의 트랙으로 나뉘어 진행된다. 트랙 1에서는 니가타현 아라이시에 위치한 유휴 200mm 팹 6을 300mm 팹으로 전환해 실리콘 포토닉스와 첨단 광학 패키징을 생산한다. 또한 도야마현 우오즈시 인근의 300mm 팹 7에서 SiGe EIC와 SiPho PIC 생산을 확대한다. 팹 7은 현재 TPS65SG 등 TPS65 시리즈 65nm급 SiGe 노드와 TPS45PHD 45nm급 SiPho 기술을 이용해 양산 중이다. 트랙 1은 2027년 4분기에 완전한 생산 준비를 갖출 예정이다.

트랙 2에서는 우오즈의 팹 7 옆에 또 다른 300mm 팹을 건설한다. 이 트랙은 2029년부터 타워의 실적에 본격적으로 기여할 것으로 예상된다. 타워는 2029년 일본 내 생산 능력이 2025년 대비 약 40배에 달하는 월 45,000장(300mm 웨이퍼 환산)에 이를 것으로 전망했다. 회사는 또한 약 200명의 직원을 채용할 계획이다.

타워는 서버용 광통신 반도체 수탁 생산 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하고 있으며, 마벨(Marvell) 등 주요 고객사를 두고 있다. 다만 인텔, TSMC, 글로벌파운드리 등이 공동 패키징 광학 분야에서 앞서 있다는 점을 인정했다.

2014년부터 이어온 일본 생산 기반

타워는 2014년 파나소닉과 타워재즈 파나소닉 반도체(TowerJazz Panasonic Semiconductor Co.)를 설립해 지분 51%를 보유하며 일본 생산 기반을 마련했다. 파나소닉이 2020년 반도체 사업에서 철수한 후, 파나소닉의 지분은 누보톤 테크놀로지 재팬(Nuvoton Technology Corporation Japan)으로 넘어갔다.