长鑫存储完成4F² DRAM工程样品验证

长鑫存储（CXMT）10月30日宣布，已完成采用4F²结构的第六代DRAM工艺平台的工程样品验证，并计划在今年年底前向客户送出其首款4F²服务器内存产品DDR5 RDIMM的样品。

据inews24.com报道，长鑫存储表示，此次验证确认该平台在实际晶圆上达到了核心性能目标。公司还称，自己是首家公开披露4F²相关进展的企业。

长鑫存储表示，若开发按计划推进，公司目标是率先在全球将4F²产品推向市场。量产则将视客户验证进度和市场需求逐步推进。

上月，长鑫存储负责人在一场活动上表示，公司将在年底前推出基于4F²的DDR5 RDIMM。这一表态当时被解读为全球半导体股价下跌的原因之一。

此前的技术与资本进展

今年8月，长鑫存储宣布下一代移动DRAM LPDDR6正式量产；上月，公司称第五代DRAM工艺已进入量产阶段。7月，长鑫存储通过IPO募资至多666.1亿元人民币，上市首日即成为内地交易所市值最高的公司。