长鑫存储送样HBM3E 良率约两三成仍拟两月内小批量生产
路透社报道，长鑫存储已向中国AI芯片设计公司送交HBM3E样品，尽管良率仅20%至30%，仍计划在两个月内启动小规模量产。
据路透社2026年10月28日报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已向中国AI芯片设计公司送交HBM3E样品，并计划在两个月内启动小规模生产，尽管其良率仍处于较低水平。
报道称，长鑫存储的HBM3E良率目前约为20%至30%，而海力士的良率约为70%。受良率偏低影响，长鑫存储计划推出的HBM3E预计价格将高于竞争对手的产品。
长鑫存储是全球存储市场的重要参与者。据Counterpoint Research数据，今年第二季度其DRAM营收份额为10%，位列全球第四。
HBM市场格局
同一季度，全球HBM营收份额为海力士50%、三星电子33%、美光18%，长鑫存储尚未进入这一梯队。
上个月，路透社曾报道，华为、寒武纪等中国AI芯片企业因存储成本上升，将AI芯片价格上调了20%至50%。
快速问答
长鑫存储的HBM3E良率是多少？
据路透社报道，长鑫存储的HBM3E良率约为20%至30%，而海力士约为70%。
长鑫存储何时开始量产HBM3E？
长鑫存储计划在两个月内启动小规模生产，并已向中国AI芯片设计公司送交样品。