Institute for Basic Science يطور تقنية تصنيع ترانزستور معيارية بأشباه موصلات ثنائية الأبعاد
المركز التابع لـ Institute for Basic Science استبدل ذرات السيلينيوم في tungsten diselenide بالأكسجين والكبريت والتيلوريوم، ونشر النتائج في Science في 16 أكتوبر 2026.
أعلن Van der Waals Quantum Solids Research Center التابع لـ Institute for Basic Science عن تطوير تقنية تصنيع ترانزستور معيارية تعتمد على الاستبدال الانتقائي للذرات في أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد، ونُشرت النتائج في دورية Science في 16 أكتوبر 2026، حسب digitaltoday.co.kr.
استبدل فريق البحث ذرات السيلينيوم في tungsten diselenide (WSe2) بذرات الأكسجين والكبريت والتيلوريوم، ما أتاح تشكيل مواد عازلة وأشباه موصلات وأشباه معادن في مواقع محددة. ونُفذ التحويل في طبقات ذرية بسماكة نحو 0.7 نانومتر من خلال التحكم في درجة حرارة التفاعل وضغط الغاز.
وأظهر ترانزستور مصنوع بهذه الطريقة انحدارًا تحت العتبة عند 61.3 millivolts، قريبًا من الحد النظري عند درجة حرارة الغرفة البالغ نحو 60 mV، فيما تجاوزت نسبة تيار التشغيل/الإيقاف 10 ملايين. كما انخفض حاجز الطاقة بين القطب الكهربائي وأشباه الموصلات إلى نحو ثلث ما هو عليه في وصلات الأقطاب المعدنية المباشرة التقليدية، ونُفذ السُمك المكافئ للأكسيد للفيلم العازل بأقل من 1 نانومتر.
وصنع الفريق أيضًا عاكسًا تكميليًا يكدّس ترانزستورات من النوع p والنوع n عموديًا، ويعمل عند 1 volt.
أسئلة سريعة
أين نُشرت نتائج البحث؟
نُشرت النتائج في دورية Science في 16 أكتوبر 2026.
ما المواد التي استُخدمت في استبدال الذرات؟
استُبدلت ذرات السيلينيوم في tungsten diselenide (WSe2) بالأكسجين والكبريت والتيلوريوم.
ما قيمة انحدار ما دون العتبة الذي حققه الترانزستور؟
بلغ 61.3 millivolts، قريبًا من الحد النظري عند درجة حرارة الغرفة البالغ نحو 60 mV.