基础科学研究院开发选择性原子替换晶体管技术

基础科学研究院范德华量子物质研究团宣布，已开发出一种模块化晶体管制造技术，能够在二维半导体中按指定位置选择性地替换原子。该研究成果已于10月16日发表在国际学术期刊《科学》上。

研究团队将二硒化钨（WSe2）中的硒原子替换为氧、硫和碲，从而在所需位置分别形成绝缘体、半导体和半金属。团队通过控制反应温度和气体压力，在约0.7纳米厚的原子层中完成了材料转化。

用该方法制成的晶体管表现出61.3毫伏的亚阈值摆幅，接近约60毫伏的室温理论极限；开/关电流比超过1000万。电极与半导体之间的能垒降至传统金属直接电极结的大约三分之一，绝缘膜的等效氧化层厚度做到1纳米以下。

研究团队还垂直堆叠p型和n型晶体管，制作出互补反相器，在1伏电压下工作。

基础科学研究院是韩国研究机构，范德华量子物质研究团为其下属研究中心，相关成果由digitaltoday.co.kr报道。