Un transistor modulaire à base de WSe2 atteint un SS de 61,3 mV
Le centre de recherche sur les solides quantiques de Van der Waals de l'IBS a mis au point une technologie de fabrication de transistors modulaires par substitution atomique dans le WSe2, publiée dans Science.
Le centre de recherche sur les solides quantiques de Van der Waals de l'Institut des sciences fondamentales (IBS) a annoncé avoir développé une technologie de fabrication de transistors modulaires capable de substituer sélectivement des atomes dans des semi-conducteurs bidimensionnels, selon digitaltoday.co.kr.
L'équipe a remplacé des atomes de sélénium dans le diséléniure de tungstène (WSe2) par de l'oxygène, du soufre et du tellure afin de former des isolants, des semi-conducteurs et des semi-métaux aux emplacements souhaités. La conversion a été réalisée dans des couches atomiques d'environ 0,7 nanomètre d'épaisseur en contrôlant la température de réaction et la pression des gaz.
Un transistor fabriqué par cette méthode a présenté une pente sous le seuil (subthreshold swing, SS) de 61,3 millivolts, proche de la limite théorique à température ambiante d'environ 60 mV. Le rapport de courant entre les états passant et bloqué a dépassé 10 millions. La barrière d'énergie entre l'électrode et le semi-conducteur a été réduite à environ un tiers de celle des jonctions métalliques directes classiques, et l'épaisseur d'oxyde équivalente du film isolant a été obtenue en dessous de 1 nanomètre.
L'équipe a également fabriqué un inverseur complémentaire empilant verticalement des transistors de type p et de type n, fonctionnant à 1 volt. Les résultats ont été publiés dans la revue Science le 16 octobre.