Samsung Electronics va recourir partiellement au procédé TSMC pour le NVHBM de NVIDIA
Selon inews24.com, NVIDIA aurait demandé à Samsung, SK Hynix et Micron de produire la base die du NVHBM en 3 nanomètres chez TSMC.
Samsung Electronics s'apprête à recourir partiellement à la technologie de procédé de TSMC pour le NVHBM, un produit personnalisé de NVIDIA fondé sur la HBM4E, rapporte inews24.com. L'information porte sur la fabrication de la base die, la puce située à la base d'un empilement DRAM et qui relie la mémoire au GPU.
Selon le média, NVIDIA aurait demandé à Samsung Electronics, SK Hynix et Micron de produire la base die du NVHBM sur le procédé 3 nanomètres de TSMC. Dans cette architecture, le contrôleur mémoire ne se trouve plus sur le GPU mais sur la base die, ce qui modifie la répartition des tâches entre fabricants de mémoire et fondeurs.
Des observateurs du secteur estiment qu'AMD et Broadcom pourraient également solliciter la technologie de procédé de TSMC, ce qui déplacerait une partie de la production des base dies hors du périmètre des fabricants de mémoire.
Une conception qui suit le client
Lors d'une récente conférence à l'Assemblée nationale, un professeur de génie électrique et électronique de KAIST a indiqué que la conception des mémoires varie selon que le client est NVIDIA, AMD ou Google, et que les fabricants prennent désormais la commande et conçoivent dès le départ, au lieu de produire puis de vendre des produits. Un chercheur du laboratoire Terra de KAIST est également cité dans le contexte de cette évolution.
En bref
Qu'est-ce que le NVHBM ?
Il s'agit d'un produit de mémoire personnalisé de NVIDIA fondé sur la HBM4E, dont le contrôleur mémoire est déplacé du GPU vers la base die.
Quel procédé TSMC est concerné ?
Selon inews24.com, NVIDIA aurait demandé un procédé 3 nanomètres de TSMC pour la base die du NVHBM.