삼성전자, 엔비디아 NVHBM 베이스 다이에 TSMC 공정 일부 도입

삼성전자가 엔비디아의 HBM4E 기반 커스텀 제품인 NVHBM에 대응해 TSMC 공정 기술을 일부 활용하는 방안을 추진하고 있다고 inews24.com이 보도했다. 메모리 업체가 자사 공정만으로 대응하기 어려운 부분을 파운드리 공정으로 보완하는 구도다.

엔비디아는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 3개 메모리 업체에 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 생산해달라고 요청한 것으로 전해졌다. 베이스 다이는 적층형 D램 패키지의 최하단 칩으로, 메모리와 GPU를 연결하는 역할을 한다.

NVHBM에서는 메모리 컨트롤러가 GPU에서 베이스 다이로 옮겨진다. 메모리 업체가 단순히 완제품을 만들어 판매하던 방식에서 벗어나 고객 주문에 맞춰 설계 단계부터 참여해야 하는 구조로 바뀌는 셈이다.

파운드리로 옮겨가는 베이스 다이 생산

업계에서는 어드밴스트 마이크로 디바이시스(AMD)와 브로드컴도 TSMC 공정 기술을 요청할 수 있다는 관측이 나온다. 이 경우 베이스 다이 생산이 메모리 업체의 손을 떠나 파운드리 쪽으로 더 옮겨갈 수 있다는 분석이다.

최근 국회 강연에서 KAIST 김정호 전기및전자공학부 교수는 고객이 엔비디아인지, 어드밴스트 마이크로 디바이시스인지에 따라 메모리 설계가 달라지며 메모리 업체들이 이제 제품을 만들어 파는 대신 주문을 받아 설계부터 맡는다고 설명한 것으로 전해졌다.