三星电子为英伟达NVHBM引入台积电工艺

三星电子正着手在英伟达基于HBM4E的定制产品NVHBM上部分采用台积电的制程工艺。据inews24.com报道，此举意味着这家存储芯片厂商在定制高带宽内存的生产中引入外部晶圆代工产能。

NVHBM的结构变化是这一安排的关键。在英伟达的NVHBM方案中，内存控制器从GPU转移到了基底晶片（base die）。基底晶片是堆叠DRAM封装中最底层的一颗芯片，负责把内存与GPU连接起来。

据报道，英伟达已要求三星电子、SK海力士与美光以台积电3纳米制程生产NVHBM的基底晶片。这一要求把基底晶片的制造环节部分交到了存储厂商之外。

业界人士指出，超威半导体与博通也可能提出采用台积电制程的要求，若如此，基底晶片的生产将进一步移出存储厂商体系。

设计模式随之调整

在近期韩国国会的一场讲座上，KAIST电气与电子工程系教授Kim Jeong-ho表示，内存设计会因客户是英伟达、超威半导体还是谷歌而有所不同；存储厂商如今从接单和设计阶段就介入，而不是先造好产品再销售。