글로벌파운드리, 7nm급 FD-SOI 'FDX Fusion' 공개...2028년 양산

글로벌파운드리가 7nm급 FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator) 공정인 'FDX Fusion'을 발표했다. 2028년 독일 드레스덴 공장에서 칩 양산을 시작할 계획이다.

FDX Fusion은 글로벌파운드리의 기존 22FDX 공정 대비 트랜지스터 밀도가 2배 이상 높아질 것으로 제시됐다. 양산에 앞서 2027년 초 고객 평가용 초기 데모 실리콘이 제공되고, 첫 공정 설계 키트(PDK)는 2027년 중반에 나올 계획이다.

이 공정은 fT/fmax가 최대 0.5 THz에 이르는 RF 트랜지스터, 아날로그·혼합 신호 회로, 임베디드 비휘발성 메모리, 인메모리 컴퓨팅을 지원한다. 글로벌파운드리는 MIPS, ARC, RISC-V 아키텍처 기반 프로세서 IP도 제공할 방침이다.

고객 관심도 함께 공개됐다. 글로벌파운드리는 BMW, 보쉬, 인피니언, NXP, 지멘스, 테슬라가 FDX Fusion에 관심을 보였다고 밝혔다. 인피니언은 레이더와 무선 통신용 차세대 7nm급 기술 협력에 나선다고 확인했다.

과거 7nm 도전과의 차이

글로벌파운드리는 2018년 IBM과 공동 개발한 7nm급 핀펫(FinFET) 공정을 비롯한 최선단 노드 개발을 중단하고 취소한 바 있다. 이후 회사는 2015년께 도입된 22FDX를 개선하는 데 집중했고, 2016년에는 10nm 핀펫에 맞먹는 성능과 최대 50% 낮은 전력 소비를 내세운 후속 12FDX를 발표했지만 상용 제품에는 채택되지 않았다.