格罗方德发布FDX Fusion 7nm级FD-SOI工艺，2028年德国投产

格罗方德（GlobalFoundries）宣布推出FDX Fusion，这是一项7nm级FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）制造工艺。据tomshardware.com报道，该工艺的晶体管密度将超过格罗方德现有22FDX工艺的两倍以上。

格罗方德计划于2028年在其位于德国德累斯顿的工厂启动FDX Fusion芯片的生产。在此之前，公司将于2027年初向客户交付首批演示硅片用于评估，首个工艺设计套件（PDK）计划于2027年中期推出。

FDX Fusion将支持fT/fmax高达0.5 THz的射频晶体管、模拟与混合信号电路、嵌入式非易失性存储器以及存内计算。格罗方德还计划提供基于MIPS、ARC和RISC-V架构的处理器IP。

格罗方德表示，宝马、博世、英飞凌、恩智浦、西门子和特斯拉已对FDX Fusion表达兴趣。英飞凌确认将就未来7nm级技术展开合作，重点面向雷达和无线通信应用。

历史背景

2018年，格罗方德放弃了先进制程节点的开发，并取消了与IBM联合开发的7nm级FinFET工艺。22FDX工艺大约于2015年推出。2016年，格罗方德曾宣布12FDX作为其继任工艺，性能可与10nm FinFET相当，功耗最多降低50%。12FDX首批客户流片原定于2019年，但该技术从未被商用产品采用。此后，格罗方德专注于22FDX的改进，并在三星推出18FDS+前后发布了22FDX+。