High-NA EUV量产时间表浮现：2028年起，掩膜环节承压

据digitaltoday.co.kr于10月26日援引业内人士报道，High-NA EUV的量产采用时间表正从2028年起陆续确定，相关准备工作的重心随之转向掩膜（光掩模）环节。

据Bits&Chips报道，包括三星电子在内的DRAM厂商将从2028年起正式启动High-NA EUV的爬坡。在逻辑代工方面，英特尔将比台积电提前两年开始High-NA EUV量产，承担早期采用带来的成本与风险；台积电已决定在2030年启动High-NA EUV量产，三星代工部门设定的时间表与台积电相近。

韩国材料企业的认证与产能准备

据SK证券消息，FST预计在今年内获得ASML对其CNT基EUV薄膜（pellicle）的认证，并于明年进入市场；其EUV相关基础设备计划于明年第一季度安装在一家主要客户最先进的代工产线上。

S&S Tech于2025年10月在龙仁完成专用EUV中心建设，目标是明年初完成EUV空白掩膜的客户认证测试；该公司已于今年9月启动EUV薄膜的客户质量测试。其空白掩膜认证原预期在2026年第二季度取得，后推迟过一次。

据SEMI数据，EUV掩膜在光掩模总量中的占比已从2020年的约1%升至2025年的约7%。据QY Research统计，按2025年营收计算，信越MicroSi、Hoya与AGC三家日本企业合计占据空白掩膜市场约86%的份额。