Micron تتخلى عن بنية 4F² في خارطة طريق الذاكرة متعددة الأجيال
مايكرون تعلن التخلي عن بنية خلية 4F² DRAM لصالح ربط الرقائق وذاكرة 3D DRAM وVertical HBM، وتخطط لإنتاج 1δ في 2027.
أعلنت شركة Micron Technology تخليها رسميًا عن اعتماد بنية خلية 4F² DRAM، وستعمل بدلًا من ذلك على توسيع بنيتها الحالية 6F²، وذلك وفقًا لما كشفته الشركة في ندوة تقنية عبر الإنترنت عُقدت في 21 أكتوبر 2026 حسب etnews.com.
وقالت مواد العرض التي قدّمتها Micron إن الشركة أجرت أبحاثًا على بنية 4F² لأكثر من 20 عامًا، لكن لا يوجد مسار قابل للتطبيق لتوسيع نطاقها. وأشار Scott DeBoer، رئيس الشركة والمسؤول التقني والمنتجات، إلى وجود مشكلات جوهرية في توسيع 4F²، وإلى أن ميزتها في الكثافة على 6F² «شبه أسطورية» بحسب تعبيره.
خارطة طريق متعددة الأجيال
ستبدأ Micron الإنتاج الضخم لذاكرة 1δ DRAM من الجيل التالي في مدينة Boise بولاية Idaho في النصف الثاني من عام 2027. كما ستدخل تقنية ربط الرقائق في العقدة اللاحقة 1ε القائمة على 6F².
وأدرجت الشركة ذاكرة 3D DRAM (3D1 و3D2) رسميًا بين العقدتين 1ζ و1η، وكشفت عن Vertical HBM التي تكدّس الذاكرة مباشرة فوق المعالج وتربطها بربط هجين.
وفي سياق سابق، كانت Samsung Electronics وSK Hynix تبحثان في بنى 4F² القائمة على VCT للتغلب على الحدود الفيزيائية لعمليات ما دون 10 نانومتر. وأعلنت CXMT مؤخرًا خططًا لتسويق ذاكرة خوادم ببنية 4F²، ما أدى إلى هبوط حاد في أسهم شركات الذاكرة الكورية.
أسئلة سريعة
ما البنية التي ستستخدمها Micron بدلًا من 4F²؟
ستوسّع Micron بنيتها الحالية 6F²، وستقدم تقنية ربط الرقائق في العقدة 1ε اللاحقة.
متى يبدأ الإنتاج الضخم لذاكرة 1δ DRAM؟
في النصف الثاني من عام 2027 في مدينة Boise بولاية Idaho.
ما هي Vertical HBM؟
تقنية تكدّس الذاكرة مباشرة فوق المعالج وتربطها بربط هجين، كشفت عنها Micron في الندوة.