マイクロンテクノロジー、4F²採用見送り 6F²を延伸へ

マイクロンテクノロジーは、4F² DRAMセル構造の採用を正式に断念し、既存の6F²構造を延伸する方針を示した。現地時間10月21日に開いた技術ウェビナーで公表した多世代のメモリーテクノロジーロードマップで明らかになった。同社の発表資料は、4F²を20年以上研究してきたものの、実行可能なスケーリングの道筋はないとしている。etnews.comが報じた。

スコット・ドボアー社長兼CTO（最高技術・製品責任者）は、4F²のスケーリングには根本的な問題があり、6F²に対する密度上の優位性は「ある種の神話」だと述べた。

ロードマップによると、同社は次世代の1δ DRAMの量産を2027年後半に米アイダホ州ボイシで開始する。6F²をベースとする後継ノードの1εではウェハーボンディング技術を導入する。

3D DRAM（3D1と3D2）は1ζノードと1ηノードの間に正式に位置づけられた。さらに、メモリーをプロセッサーの直上に積層し、ハイブリッドボンディングで接合するVertical HBMも披露した。

4F²を巡る業界の動き

韓国のSamsung ElectronicsとSK Hynixは、10nm未満（0a/0b）プロセスの物理的限界を克服するため、VCT方式の4F²構造を研究してきた。中国のCXMTは最近、4F²構造を用いたサーバーDRAMの商用化計画を発表し、世界のメモリー半導体株に動揺が広がった。