美光記憶台弃用4F² DRAM，转向3D DRAM与垂直HBM
美光記憶台在10月21日的技术说明会上公布多代存储路线图，称研究4F²逾20年但无可行微缩路径。
美光記憶台（Micron Technology）已正式放弃采用4F² DRAM单元结构，转而延续现有的6F²结构。据etnews.com报道，该公司在2026年10月21日（当地时间）举行的技术说明会上公布了这一决定及多代存储技术路线图。
说明会材料显示，美光記憶台对4F²结构已研究超过20年，但认定其不存在可行的微缩路径。公司总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，4F²在微缩方面存在根本性问题，其相对6F²的密度优势“在某种程度上是神话”。
1δ量产与晶圆键合计划
根据路线图，美光記憶台将于2027年下半年在爱达荷州博伊西开始量产下一代1δ DRAM。在基于6F²的后续节点1ε上，公司将引入晶圆键合技术。此外，美光記憶台已将3D DRAM（3D1与3D2）正式排在1ζ与1η节点之间。
公司同时公开了Vertical HBM方案，该方案将存储芯片直接堆叠在处理器之上，并通过混合键合进行连接。
背景方面，据etnews.com报道，三星电子与SK海力士一直在研究基于VCT的4F²结构，以突破10纳米以下（0a/0b）工艺的物理极限；CXMT近期则公布了采用4F²结构的服务器DRAM商业化计划。
快速问答
美光記憶台何时量产1δ DRAM？
美光記憶台计划于2027年下半年在爱达荷州博伊西开始量产下一代1δ DRAM。
美光記憶台为什么放弃4F² DRAM？
公司表示已研究4F²超过20年，但认为不存在可行的微缩路径，且其相对6F²的密度优势在某种程度上是神话。
什么是Vertical HBM？
这是美光記憶台公布的方案，将存储芯片直接堆叠在处理器之上，并通过混合键合进行连接。