마이크론, 4F² DRAM 포기…6F² 연장·3D DRAM 로드맵 공개

마이크론 테크놀로지가 4F² DRAM 셀 구조 도입을 공식적으로 포기하고 기존 6F² 구조를 연장하기로 했다. 마이크론은 2026년 10월 21일(현지시간) 열린 기술 웨비나에서 여러 세대에 걸친 메모리 기술 로드맵을 공개했다고 etnews.com이 보도했다.

마이크론은 발표 자료에서 4F²를 20년 넘게 연구했지만 실행 가능한 스케일링 경로가 없다고 밝혔다. 스콧 드보어 마이크론 사장 겸 최고기술·제품책임자(CTPO)는 4F² 스케일링에는 근본적인 문제가 있으며 6F² 대비 밀도 우위는 다소 신화에 가깝다고 말했다.

차세대 1δ DRAM은 2027년 하반기 미국 아이다호주 보이시에서 양산을 시작한다. 6F² 기반 후속 노드인 1ε에서는 웨이퍼 본딩 기술을 도입한다.

3D DRAM과 Vertical HBM

마이크론은 3D DRAM(3D1, 3D2)을 1ζ와 1η 노드 사이에 공식 배치했다. 또 메모리를 프로세서 위에 직접 적층하고 하이브리드 본딩으로 접합하는 Vertical HBM도 공개했다.

한편 삼성전자와 SK하이닉스는 10nm 이하(0a/0b) 공정의 물리적 한계를 넘기 위해 VCT 기반 4F² 구조를 연구해 왔다. CXMT는 최근 4F² 구조를 적용한 서버 DRAM 상용화 계획을 발표해 글로벌 메모리 반도체 주가에 영향을 줬다.