삼성 테일러 팹2 11월 착공…인텔 오하이오 원도 골조 완료

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러에 짓는 팹1의 가동을 올해 안에 시작하고, 2나노 공정 생산능력을 단계적으로 확대할 계획이다. 삼성전자는 11월 테일러 팹2 착공에 들어간다. 팹2는 25만㎡ 규모로 팹1의 약 1.5배이며, 양산 목표 시점은 2030년이다.

인텔은 21일 오하이오주 뉴올버니의 오하이오 원 부지에서 첫 생산동 주철골 설치를 마치고 장비 반입에 들어갔다고 밝혔다. 인텔은 애리조나의 새 팹62에도 장비를 설치하고 있으며, 2028년 말 가동을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스는 인디애나주 웨스트 라파예트에 40억 달러 이상을 투자해 HBM 첨단 패키징 공장을 짓고 있으며, 2029년 3분기 양산을 목표로 한다.

TSMC는 15일 실적 발표에서 애리조나 팹2 건설을 마치고 장비를 반입하고 있다고 밝혔다. 3나노 양산은 2027년 3분기에 시작한다.

일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 20일 스페이스X 실적 발표 자리에서 테라팹 프로젝트의 양산 목표를 2028년 3분기로 제시하면서 일정 불확실성을 인정했다. 한미반도체는 테라팹에 열압착 본더를 공급하는 방안을 논의 중인 것으로 전해졌다.

한국 소재·장비사와의 협력 논의

테슬라와 스페이스X 관계자는 13일부터 15일까지 열린 세미콘 웨스트에서 동진쎄미켐, 이엔에프테크놀로지, 유니셈 등 한국 기업 약 10곳을 방문해 공급 가능성을 타진한 것으로 전해졌다. 이엔에프테크놀로지는 텍사스 공장에서 삼성전자 테일러 팹에 반도체 공정 소재를 공급하고 있고, 동진쎄미켐은 텍사스 공장에서 올해 안에 양산을 추진하고 있다.

한편 SK하이닉스는 지난 8월 27일 인디애나 HBM 패키징 공장 착공식을 열었다. 삼성전자는 지난해 테슬라와 약 165억 달러 규모의 반도체 공급 계약을 맺고 테일러 공장에서 테슬라의 차세대 AI 칩 AI6를 생산하기로 했다.