三星泰勒二厂11月动工 英特尔俄亥俄主钢结构完工

据inews24.com报道，三星电子、海力士、英特尔与台积电正在推进美国半导体工厂建设。三星位于得克萨斯州泰勒的一厂预计年内投产，并将分阶段扩大2nm工艺产能；二厂将于11月开工，面积约25万平方米，约为一厂的1.5倍，目标2030年量产。

英特尔21日表示，其位于俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区首座生产设施主钢结构安装已完成，同时亚利桑那州新建的Fab 62正在安装设备，目标于2028年底投入运营。

台积电在15日的财报说明中表示，亚利桑那二厂已完工并开始搬入设备，3nm量产将于2027年第三季度启动。

海力士正在印第安纳州西拉法叶建设HBM先进封装工厂，投资超过40亿美元，目标2029年第三季度量产。该公司于8月27日为这座工厂举行了开工仪式。

特斯拉公司与太空探索技术公司方面，马斯克20日在太空探索技术公司业绩说明会上表示，Terafab项目目标2028年第三季度量产，并承认进度存在不确定性。韩美半导体据传正与Terafab讨论供应热压键合设备。特斯拉公司与太空探索技术公司相关人员据报在13日至15日举行的SEMICON West期间走访了东进世美肯、ENF Technology、Unisem等约10家韩国企业，探讨供应可能。ENF Technology已从其得州工厂向三星泰勒工厂供应半导体工艺材料，东进世美肯则推进得州工厂年内量产。

与特斯拉的供货合同

去年，三星与特斯拉公司签署了价值约165亿美元的半导体供应合同，将在泰勒工厂生产特斯拉下一代AI芯片AI6。