CXMT تعلن إطلاق DDR5 RDIMM بتقنية 4F² بحلول نهاية العام
شركة CXMT كشفت نتائج تطوير بنية 4F² في مؤتمر شنغهاي، وتعتزم إطلاق منتج ذاكرة خوادم جديد عبر تقنية VSG الخاصة بها.
أعلنت شركة CXMT (تشانغشين ميموري تكنولوجيز) عن خطط لإطلاق منتج ذاكرة خوادم يحمل اسم DDR5 RDIMM، يعتمد على تقنية 4F² DRAM، وذلك بحلول نهاية العام الجاري. جاء الإعلان على لسان تساو كانوي، رئيس الشركة، خلال فعاليات مؤتمر الدوائر المتكاملة والرقائق المتقدمة الرابع المنعقد في شنغهاي، حسبما نقل موقع inews24.com.
وأوضح تساو كانوي أن بنية 4F² التي طورتها الشركة تستند إلى تقنية الترانزستور الخاص بها بالبوابة الرأسية المحيطة (VSG). وأضاف أن الشركة تمكنت من تأمين أكثر من 300 براءة اختراع منشورة مرتبطة بهذه البنية.
وتستعد CXMT لطرح منتج DDR5 RDIMM المخصص لخوادم مراكز البيانات بحلول نهاية العام، في خطوة تعزز حضورها في سوق ذاكرات الخوادم.
سياق المنافسة في سوق DRAM
وفيما يتعلق بحصص الإيرادات العالمية في سوق DRAM خلال الربع الثاني، تصدرت Samsung Electronics (إلكترونيات سامسونج) القائمة بنسبة 39.4%، تلتها SK Hynix (إس كيه هاينكس) بنسبة 24.9%، ثم Micron بنسبة 23.3%، بينما حلت CXMT في المرتبة الرابعة بنسبة 9.5%، وفقاً لبيانات TrendForce.
وكانت Samsung قد قدمت في فبراير الماضي نتائج بحثية لنموذج أولي لذاكرة DRAM بسعة 16Gb تعتمد بنية 4F² وتقنية الربط الهجين من رقاقة إلى رقاقة خلال مؤتمر ISSCC 2026. كما استعرضت SK Hynix في يونيو من العام الماضي بنية البوابة الرأسية (VG) بتقنية 4F² وذاكرة 3D DRAM كاتجاهات تقنية للجيل القادم خلال مؤتمر VLSI 2025.
أسئلة سريعة
ما هو منتج الذاكرة الذي ستطلقه CXMT؟
تعتزم CXMT إطلاق منتج DDR5 RDIMM المخصص للخوادم، بتقنية 4F² DRAM الخاصة بها، بحلول نهاية العام الجاري.
ما هي تقنية 4F² التي تستخدمها CXMT؟
هي بنية لذاكرة DRAM تعتمد على تقنية الترانزستور ذات البوابة الرأسية المحيطة (VSG) التي طورتها الشركة، ولديها أكثر من 300 براءة اختراع منشورة مرتبطة بها.
ما هي حصة CXMT في سوق DRAM العالمية؟
بلغت حصتها من إيرادات سوق DRAM العالمية في الربع الثاني 9.5%، لتحتل المرتبة الرابعة وفقاً لبيانات TrendForce.