CXMT annonce un module DDR5 RDIMM basé sur sa DRAM 4F² pour la fin de l'année
Le fabricant chinois CXMT prévoit de lancer un module serveur DDR5 RDIMM exploitant sa structure 4F², avec plus de 300 brevets publiés selon son président Cao Kanwei.
CXMT a annoncé son intention de commercialiser un module de mémoire serveur DDR5 RDIMM utilisant sa technologie DRAM 4F² d'ici la fin de l'année, selon le site d'information sud-coréen inews24.com. L'annonce a été faite par Cao Kanwei, président de CXMT, lors de la 4e Conférence sur les circuits intégrés et les chiplets à Shanghai, où il a présenté les résultats de développement de cette structure.
Le fabricant chinois précise avoir recours à sa propre technologie de transistor à grille enveloppante verticale (VSG) pour la structure 4F². Il indique également avoir sécurisé plus de 300 brevets publiés liés à cette architecture.
Un quatrième acteur sur un marché dominé par trois poids lourds
Selon le cabinet TrendForce, Samsung Electronics a occupé la première place du marché mondial de la DRAM au deuxième trimestre avec 39,4 % des revenus, devant SK Hynix (24,9 %), Micron (23,3 %) et CXMT, quatrième avec 9,5 %.
Les concurrents coréens et américains ont eux aussi présenté des travaux sur cette architecture. En février, Samsung Electronics a exposé à l'ISSCC 2026 les résultats de recherche d'un prototype de DRAM 16 Gb à structure 4F² et liaison hybride wafer-to-wafer. En juin de l'année précédente, SK Hynix avait présenté à VLSI 2025 la structure 4F² à grille verticale (VG) et la DRAM 3D parmi les pistes technologiques de nouvelle génération.
En bref
Quel produit CXMT prévoit-il de lancer et pour quand ?
CXMT prévoit de commercialiser un module serveur DDR5 RDIMM basé sur sa technologie DRAM 4F² d'ici la fin de l'année.
Quelle part de marché détient CXMT sur la DRAM mondiale ?
CXMT s'est classé quatrième avec 9,5 % des revenus mondiaux de la DRAM au deuxième trimestre, selon TrendForce.
Quelle technologie transistor utilise la structure 4F² de CXMT ?
CXMT indique utiliser sa propre technologie de transistor à grille enveloppante verticale (VSG).