长鑫存储计划年底前推出4F² DDR5 RDIMM服务器内存
长鑫存储总裁曹堪宇在上海集成电路与芯片堆叠大会上公布4F² DRAM开发成果，并称已获得超过300项公开专利。
据inews24.com报道，长鑫存储（CXMT）总裁曹堪宇在深圳举行的第4届集成电路与芯片堆叠大会上，公布了该公司4F² DRAM结构的开发成果。长鑫存储表示，计划在今年年底前推出采用该4F²技术的服务器内存产品DDR5 RDIMM。
长鑫存储称，其4F²结构采用了自有的垂直环栅（VSG）晶体管技术，并已就该技术获得超过300项公开专利。
4F² DRAM结构被视为下一代高密度存储技术方向之一。在2026年2月举行的ISSCC 2026上，三星电子曾展示基于4F²结构与晶圆对晶圆混合键合的16Gb DRAM原型研究成果。
2025年6月，SK海力士在VLSI 2025上介绍了4F²垂直栅（VG）结构与3D DRAM作为下一代技术方向。
根据集邦科技（TrendForce）的数据，在第二季度全球DRAM营收份额中，三星电子以39.4%位居第一，SK海力士为24.9%，美光为23.3%，长鑫存储以9.5%排名第四。
快速问答
长鑫存储的DDR5 RDIMM什么时候推出？
长鑫存储表示计划在今年年底前推出采用4F²技术的服务器内存产品DDR5 RDIMM。
长鑫存储的4F²技术有什么特点？
长鑫存储称其4F²结构采用了自有的垂直环栅（VSG）晶体管技术，并已获得超过300项公开专利。