CXMT, 4F² D램 적용 DDR5 RDIMM 연내 출시

창신 메모리 테크놀로지스(CXMT)가 자체 4F² D램 기술을 적용한 서버용 메모리 제품 DDR5 RDIMM을 올해 안에 출시한다고 밝혔다. 아이뉴스24에 따르면 차오칸웨이 CXMT 사장은 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 4F² 구조 개발 성과를 공개하며 이 같은 계획을 제시했다.

CXMT는 4F² 구조에 자체 수직 서라운딩 게이트(VSG) 트랜지스터 기술을 적용했다고 설명했다. 또 4F² 관련 특허를 300건 이상 등록했다고 밝혔다.

D램 시장 구도

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 삼성전자가 39.4%로 1위를 기록했고, SK하이닉스가 24.9%, 마이크론이 23.3%로 뒤를 이었다. CXMT는 9.5%로 4위에 올랐다.

앞서 차오칸웨이 사장은 지난 10일 같은 콘퍼런스에서 4F² 개발 결과를 발표했다.

업계에서는 지난 2월 삼성전자가 ISSCC 2026에서 16Gb D램 4F² 구조와 웨이퍼 대 웨이퍼 하이브리드 본딩 연구 결과를 제시했고, 지난해 6월에는 SK하이닉스가 VLSI 2025에서 4F² 수직 게이트(VG) 구조와 3D D램을 차세대 기술 방향으로 제시한 바 있다.