Micron تكشف عن ذاكرة G11 3D NAND بإنتاج ضخم في 2027
ذاكرة G11 من Micron تضاعف كثافة البتات مقارنةً بجيل G9 وتستخدم ربط رقاقة على رقاقة، مع أكثر من 400 طبقة NAND.
أعلنت شركة Micron عن ذاكرة G11 3D NAND من الجيل التالي خلال فعالية للشركة هذا الأسبوع، على أن تدخل الإنتاج الضخم في النصف الثاني من عام 2027، حسبما ذكر موقع tomshardware.com.
ووفقاً للشركة، تضاعف G11 كثافة البتات مقارنةً بجيل G9 الحالي، لتنتقل من نحو 21 Gb/mm2 إلى نحو 42 Gb/mm2 في تقنية 3D TLC. كما تُرفع سرعة الإدخال والإخراج بنسبة تصل إلى 50%، من 3,600 MT/s إلى 5,400 MT/s، وتنخفض الطاقة المستهلكة لكل بت بأكثر من 25%.
وتعتمد الذاكرة الجديدة على تقنية ربط رقاقة على رقاقة (wafer-on-wafer)، إذ تُصنَّع مصفوفة NAND والمنطق المحيطي على رقاقتين منفصلتين بتقنيات تصنيع مختلفة. وتضم G11 أكثر من 400 طبقة NAND، دون أن تكشف Micron عن العدد الدقيق لطبقات خطوط الكلمات النشطة أو الطوابق.
وقال Scott DeBoer، رئيس Micron والمسؤول عن التكنولوجيا والمنتجات، إن الشركة تعمل على تطوير مواد عالية الحركة وبنى خلايا أعلى كثافة لتوسيع تقنية 3D NAND إلى ما بعد G11. وتتوقع Micron الإفصاح عن مزيد من التفاصيل التقنية في عام 2027 مع اقتراب الإنتاج بكميات كبيرة.
يُذكر أن جيل G9 (N160) الحالي من Micron يوفر نحو 21 Gb/mm2 وواجهة بسرعة 3,600 MT/s، وقد اعتمدت الشركة على معماريات CMOS-under-array لعدة أجيال من ذاكرة NAND.
أسئلة سريعة
متى تدخل ذاكرة G11 3D NAND من Micron الإنتاج الضخم؟
في النصف الثاني من عام 2027.
كم تبلغ سرعة الإدخال والإخراج في G11؟
تصل إلى 5,400 MT/s، بزيادة تصل إلى 50% عن 3,600 MT/s في الجيل الحالي.
كم عدد طبقات NAND في G11؟
أكثر من 400 طبقة NAND، دون أن تكشف Micron عن العدد الدقيق.