Micron dévoile le NAND 3D G11, production de masse en 2027
Micron annonce un NAND 3D G11 de plus de 400 couches, avec un débit d'E/S jusqu'à 5 400 MT/s et une densité binaire environ doublée par rapport au G9.
Micron a présenté cette semaine son NAND 3D de nouvelle génération, le G11, lors d'un événement organisé par l'entreprise. La production de masse est prévue pour le second semestre 2027, selon tomshardware.com.
Le fabricant annonce une densité binaire environ deux fois supérieure à celle de sa génération G9 actuelle, passant d'environ 21 Gb/mm2 à environ 42 Gb/mm2 pour le 3D TLC. Le G11 doit également relever la vitesse d'E/S de 50 % au maximum, de 3 600 MT/s à 5 400 MT/s, et réduire la consommation d'énergie par bit de plus de 25 %.
La puce comptera plus de 400 couches NAND, sans que Micron précise le nombre exact de couches de lignes de mots actives ou de niveaux empilés. Le G11 reposera sur une liaison wafer-on-wafer : le réseau NAND et la logique périphérique seront fabriqués sur des wafers distincts, avec des technologies de procédé différentes.
Micron indique qu'il communiquera davantage de détails techniques en 2027, à l'approche de la production à grand volume. Scott DeBoer, président et directeur de la technologie et des produits de Micron, s'exprimait dans le cadre de cette annonce.
Pour aller au-delà du G11, le fabricant dit développer des matériaux à haute mobilité et des architectures de cellules plus denses afin de poursuivre la mise à l'échelle du NAND 3D. Le G9 (N160) 3D TLC actuel, qui affiche environ 21 Gb/mm2 et une interface à 3 600 MT/s, sert de point de comparaison ; Micron recourt par ailleurs à des architectures CMOS-under-array depuis plusieurs générations.
En bref
Quand le NAND 3D G11 de Micron entrera-t-il en production de masse ?
Micron prévoit une production de masse au second semestre 2027, avec davantage de détails techniques divulgués en 2027.
Quelles sont les caractéristiques annoncées du G11 ?
Plus de 400 couches NAND, une densité binaire d'environ 42 Gb/mm2 en 3D TLC contre environ 21 Gb/mm2 pour le G9, un débit d'E/S allant jusqu'à 5 400 MT/s et une consommation par bit réduite de plus de 25 %.
Qu'est-ce que la liaison wafer-on-wafer utilisée par le G11 ?
Le réseau NAND et la logique périphérique sont fabriqués sur des wafers séparés, avec des technologies de procédé différentes, puis assemblés.