Micron、400層超のG11 3D NANDを発表 2027年下半期に量産
Micronが次世代G11 3D NANDを発表。ビット密度はG9比で約2倍、I/O速度は最大5,400 MT/s、ウエハー・オン・ウエハー接合を採用する。
Micronは今週開催した自社イベントで、次世代のG11 3D NANDを発表した。量産開始は2027年下半期を予定している。同社の発表をtomshardware.comが伝えた。
G11は、現行世代G9と比べてビット密度を約2倍に高めるという。3D TLCで約21 Gb/mm2から約42 Gb/mm2へ向上する。I/O速度は最大50%引き上げ、3,600 MT/sから5,400 MT/sへ高速化。ビットあたりの消費エネルギーは25%以上削減される見込みだ。
製造面ではウエハー・オン・ウエハー接合を採用する。NANDアレイと周辺ロジックを異なるプロセス技術の別ウエハーで作り、貼り合わせる方式となる。NAND層は400層超を備えるが、アクティブなワードライン層やデッキの正確な数は公表していない。
MicronのScott DeBoer社長兼最高技術・製品責任者は技術の方向性について説明した。同社はG11以降も3D NANDを拡張するため、高移動度材料と高密度なセル構造の開発を進めている。より詳細な技術情報は、量産に近づく2027年に明らかにする予定だ。
各社との比較
ウエハー・オン・ウエハー接合は、YMTCが先行して採用した手法として知られる。KioxiaのBiCS10やSamsungのV10も比較対象として言及されている。Micronはこれまで複数世代にわたりCMOS-under-array構造を用いてきた。現行のG9（N160）3D TLC NANDは約21 Gb/mm2のビット密度と3,600 MT/sのインターフェースを備える。
よくある質問
G11 3D NANDの量産開始はいつですか？
2027年下半期に量産開始が予定されています。
G11のI/O速度はどのくらいですか？
最大5,400 MT/sで、G9の3,600 MT/sから最大50%向上します。
G11の層数はいくつですか？
400層超のNAND層を備えますが、アクティブなワードライン層やデッキの正確な数は公表されていません。