美光发布G11 3D NAND：超400层，2027年下半年量产

美光（Micron）在本周举行的公司活动上发布了下一代G11 3D NAND闪存，并计划于2027年下半年进入量产。据tomshardware.com报道，美光此次公布的是产品规划与关键指标，更详细的技术参数要到2027年接近大规模量产时才会披露。

按照美光的说法，G11的位密度约为当前G9世代的两倍，3D TLC的位密度从约21 Gb/mm²提升到约42 Gb/mm²。接口速度最高提升50%，从3,600 MT/s提高到5,400 MT/s；每比特能耗则降低超过25%。

在工艺上，G11将采用晶圆对晶圆（wafer-on-wafer）键合，把NAND阵列与外围逻辑电路分别放在不同晶圆上制造，并使用不同的制程技术。美光表示G11的NAND层数将超过400层，但未公布有效字线层数或堆叠层（deck）的具体数量。

美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer负责公司的技术与产品事务。美光还表示，正在开发高迁移率材料与更高密度的单元架构，以便在G11之后继续扩展3D NAND。

背景

美光现行的G9（N160）3D TLC NAND位密度约为21 Gb/mm²，接口速度为3,600 MT/s。此前数代NAND产品中，美光一直采用CMOS-under-array架构。