台积电应英伟达要求启动3D DRAM生产计划
据《信息报》报道，台积电已开始制定3D DRAM生产计划，但投资规模和量产时间表尚未确定。
据《信息报》援引两位知情人士报道，台积电（TSMC）已应英伟达（NVIDIA）的要求，开始制定3D DRAM的生产计划。英伟达直接要求台积电为其制造存储芯片。
报道称，台积电正在考虑新建晶圆厂或收购现有半导体工厂，将其改造为存储芯片生产设施。不过，投资规模和量产时间表均尚未确定。
据报道，这项工作由台积电高级副总裁负责先进封装的许国晋领导，他此前曾负责美光科技在台湾的业务。
台积电表示，不对市场传闻或猜测置评，并将继续专注于核心的代工业务。英伟达拒绝置评。
背景：存储芯片供应紧张
2024年，SK海力士与台积电签署协议，合作开发下一代HBM4和先进封装技术。此前有报道称，英伟达曾要求三星电子、SK海力士和美光利用台积电的3纳米工艺为其下一代定制HBM“NVHBM”生产基础裸片。随着AI芯片需求激增导致DRAM价格上涨，英伟达和苹果等芯片设计公司正在寻找新的供应来源。
快速问答
台积电的3D DRAM生产计划确定了吗？
报道称台积电已开始制定计划，但投资规模和量产时间表尚未确定。台积电表示不对市场传闻置评。
英伟达为什么要求台积电生产3D DRAM？
报道称英伟达直接要求台积电为其制造存储芯片。背景信息显示，AI芯片需求激增导致DRAM价格上涨，芯片设计公司正在寻找新的供应来源。